报告主题：氮化物半导体的紫外光学性质研究
报告嘉宾：唐宁（博雅特聘教授，北京大学 物理学院）
时 间：2026年11月30日（周一）上午9:40到10:10
地 点：粤海校区汇星楼报告厅(3)
报告人简介
唐宁，北京大学博雅特聘教授，氮化物宽禁带半导体材料与器件北京市重点实验室副主任，研究方向为宽禁带半导体材料和器件物理。曾获基金委优青、青拔、杰青，先后主持国家重点研发计划重点专项项目2项。迄今在PRL、Sci.Adv.、APL、PRB等期刊发表SCI收录论文100多篇，出版专著2部。
报告内容简介
光谱技术是揭示半导体材料光学性质和器件性能的重要研究手段。我们研制了深紫外时间和空间分辨光谱系统，利用该系统在实验上证实了单层氮化硼为间接带隙半导体，阐明了AlN中中性硅束缚激子跃迁的热猝灭机制，揭示了GaN基半导体中自旋极化载流子的自旋弛豫机制等。
欢迎有兴趣的师生前来参加！
国产探花
2026年11月4日
